IPM018N10NM5LF2AUMA1
Référence :
IPM018N10NM5LF2AUMA1
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
IPM018N10NM5LF2AUMA1
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2990
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$8.99
$8.99
10+
$6.11
$61.1
100+
$4.74
$474
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V, 15V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-HSOG-4-1
Boîtier
4-PowerSFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 15V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.45V @ 240µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14000 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (Max)
3.8W (Ta), 349W (Tc)
Derniers produits
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scannez le QR code