IRF6662TRPBF
Référence :
IRF6662TRPBF
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
10718
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 208
Qté
Prix
Total
208+
$1.6
$332.8
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Fournisseur Dispositif Emballage
DIRECTFET™ MZ
Boîtier
DirectFET™ Isometric MZ
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