IRF9510
Référence :
IRF9510
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Dissipation de puissance (Max)
43W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Type de FET
P-Channel
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
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