IV2Q12040D7Z
Référence :
IV2Q12040D7Z
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GEN2, SIC MOSFET, 1200V 40MOHM,
Boîtier :
Conditionnement :
Strip
Quantité :
60
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$11.86
$11.86
10+
$8.19
$81.9
100+
$6.12
$612
500+
$5.58
$2790
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7
Dissipation de puissance (Max)
417W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2160 pF @ 800 V
Boîtier
TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 9mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 18 V
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