JMZVTR8.2B
JMZVTR8.2B
JMZVTR8.2B JMZVTR8.2B
Référence :
JMZVTR8.2B
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1000MW, 5V, PMDE, ZENER DIODE :
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$0.3
$0.3
10+
$0.18
$1.8
100+
$0.11
$11
500+
$0.08
$40
1000+
$0.07
$70
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Grade
-
Qualification
-
Tension - Zener (Nom) (Vz)
8.2 V
Impédance (Max) (Zzt)
30 Ohms
Puissance - Max
1 W
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Courant - Fuite inverse @ Vr
1 µA @ 5 V
Boîtier
2-SMD, Flat Leads
Tolérance
±2.07%
Fournisseur Dispositif Emballage
PMDE
Derniers produits
BZT52C33
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
INDEPENDENT TYPE 31V~35V 500MW 3
BZT52B5V6
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
INDEPENDENT TYPE 350MW 5.49V~5.7
MM1Z2V2B
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
INDEPENDENT TYPE 2.1V~2.4V 500MW
BZT52B11
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
INDEPENDENT TYPE 350MW 10.78V~11
BZT52C6V2
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
INDEPENDENT TYPE 5.8V~6.6V 500MW
BZT52B30
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
INDEPENDENT TYPE 350MW 29.4V~30.
BZT52C6V8S
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
INDEPENDENT TYPE 6.4V~7.2V 200MW
BZT52B6V2S
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
INDEPENDENT TYPE 6.08V~6.32V 200