MCAC5D2N10Y-TP
MCAC5D2N10Y-TP
MCAC5D2N10Y-TP MCAC5D2N10Y-TP
Référence :
MCAC5D2N10Y-TP
Catégorie :
-
Description :
N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
5000
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.82
$1.82
10+
$1.15
$11.5
100+
$0.77
$77
500+
$0.61
$305
1000+
$0.55
$550
2000+
$0.54
$1080
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Boîtier
8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 50A, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
117A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2090 pF @ 50 V
Fournisseur Dispositif Emballage
DFN5060
Dissipation de puissance (Max)
138W (Tj)
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