MCAC9D6N06YL-TP
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MCAC9D6N06YL-TP MCAC9D6N06YL-TP
Référence :
MCAC9D6N06YL-TP
Catégorie :
-
Description :
N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
5000
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.08
$1.08
10+
$0.67
$6.7
100+
$0.44
$44
500+
$0.34
$170
1000+
$0.31
$310
2000+
$0.28
$560
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Boîtier
8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 25A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
15.2 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
DFN5060
Dissipation de puissance (Max)
48W (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
875 pF @ 30 V
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