MCB3D0N10Y-TP
Référence :
MCB3D0N10Y-TP
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 800
Qté
Prix
Total
800+
$3.45
$2760
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
230W (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7076 pF @ 50 V
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