MCP2D0N04YL-BP
MCP2D0N04YL-BP
MCP2D0N04YL-BP
Référence :
MCP2D0N04YL-BP
Catégorie :
-
Description :
N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.78
$2.78
10+
$1.79
$17.9
100+
$1.22
$122
500+
$0.98
$490
1000+
$0.9
$900
2000+
$0.84
$1680
5000+
$0.8
$4000
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7400 pF @ 20 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB (H)
Dissipation de puissance (Max)
312W (Tj)
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