MCT06P10HE3-TP
Référence :
MCT06P10HE3-TP
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
P-CHANNEL MOSFET,SOT-223
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 2500
Qté
Prix
Total
2500+
$0.36
$900
5000+
$0.33
$1650
7500+
$0.32
$2400
12500+
$0.3
$3750
17500+
$0.3
$5250.01
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de FET
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Boîtier
TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-223
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
24.6 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
1.9W (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1369 pF @ 50 V
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