MDD4N65D
Référence :
MDD4N65D
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
MOSFET N 650V 4A TO-252
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
33669
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 2500
Qté
Prix
Total
2500+
$0.95
$2375
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
77W (Ta)
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