MS100N01
Référence :
MS100N01
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N Channel MOSFET,100V,SOT-23
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
3
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$0.09
$0.09
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dissipation de puissance (Max)
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 1A, 10V
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