MXP120A045FE-T1GE3
Référence :
MXP120A045FE-T1GE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC MOSFET
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1600
Qté
Prix
Total
1600+
$13.94
$22304
Statut de la pièce
Active
Fournisseur Dispositif Emballage
-
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
-
Boîtier
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Dissipation de puissance (Max)
212W (Tc)
Vgs (Max)
+22V, -10V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.38V @ 5mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
75.6 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1958 pF @ 800 V
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