N3T080MP120D
Référence :
N3T080MP120D
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
882
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$9.85
$9.85
25+
$9.3
$232.5
100+
$8.75
$875
500+
$7.65
$3825
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Dissipation de puissance (Max)
188W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
38A
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 15mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
896 pF @ 800 V
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