NC2M120C20HTNG
Référence :
NC2M120C20HTNG
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC MOSFET 1200V 20M 126A TO247
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
100
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 50
Qté
Prix
Total
50+
$42.89
$2144.5
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Boîtier
TO-247-4
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4L
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension Drain-Source (Vdss)
1.2 kV
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
126A (Tc)
Vgs (Max)
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 63A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 20mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
282 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4615 pF @ 1 kV
Dissipation de puissance (Max)
625W (Ta)
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