P3M12025K4
Référence :
P3M12025K4
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 0
Qté
Prix
Total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Boîtier
TO-247-4
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4L
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
112A
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+19V, -8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 50mA (Typ)
Dissipation de puissance (Max)
577W
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