PJQ5447E-AU_R2_006A1
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PJQ5447E-AU_R2_006A1 PJQ5447E-AU_R2_006A1
Référence :
PJQ5447E-AU_R2_006A1
Catégorie :
-
Description :
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.04
$3.04
10+
$1.96
$19.6
100+
$1.35
$135
500+
$1.1
$550
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de FET
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Boîtier
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
DFN5060-8
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
19A (Ta), 120A (Tc)
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