PSMN1R3-80SSFJ
Référence :
PSMN1R3-80SSFJ
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.23
$7.23
10+
$4.86
$48.6
100+
$3.55
$355
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
246 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
335A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 25A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
LFPAK88 (SOT1235)
Boîtier
SOT-1235
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
16647 pF @ 40 V
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