PSMN6R3-120PS
Référence :
PSMN6R3-120PS
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
1919
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 149
Qté
Prix
Total
149+
$2.22
$330.78
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Through Hole
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Tension Drain-Source (Vdss)
120 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 25A, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
207.1 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
11384 pF @ 60 V
Dissipation de puissance (Max)
405W (Ta)
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