QS1200SCM36
Référence :
QS1200SCM36
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200V 36AMP SiC Mosfet
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
990
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 50
Qté
Prix
Total
50+
$1.38
$69
100+
$1.28
$128
250+
$1.1
$275
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Qualification
-
Grade
Automotive
Boîtier
TO-247-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
2.8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
36A
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Fournisseur Dispositif Emballage
PG-TO247-3
Vgs (Max)
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 100µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1001 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (Max)
198W
Derniers produits
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scannez le QR code