QS120SCM80D2P
Référence :
QS120SCM80D2P
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
1200V N-CHANNEL SIC MOSFET 80 M
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
2600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$10.18
$10.18
10+
$9.89
$98.9
250+
$9.63
$2407.5
500+
$9.08
$4540.01
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
250W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1001 pF @ 800 V
Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK-7L
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 5mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 20 V
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