QS65SCM65D2P
Référence :
QS65SCM65D2P
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
650v 65amp SiC Mosfet D2PAK
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
980
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$11.24
$11.24
10+
$10.44
$104.4
250+
$10.15
$2537.5
500+
$9.52
$4760
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
294W (Tc)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 25A, 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1946 pF @ 400 V
Fournisseur Dispositif Emballage
D2PAK-7L
Derniers produits
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scannez le QR code