RH7L04CBKFRATCB
RH7L04CBKFRATCB
RH7L04CBKFRATCB
Référence :
RH7L04CBKFRATCB
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
3000
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.38
$1.38
10+
$0.86
$8.6
100+
$0.57
$57
500+
$0.44
$220
1000+
$0.4
$400
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
62W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Boîtier
8-PowerTDFN
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 30 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 650µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.6mOhm @ 20A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
DFN3333T8LSAB
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-