SI085P03LK-TP
SI085P03LK-TP
SI085P03LK-TP SI085P03LK-TP
Référence :
SI085P03LK-TP
Catégorie :
-
Description :
P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 3000
Qté
Prix
Total
3000+
$0.06
$180
6000+
$0.06
$360
9000+
$0.05
$450
15000+
$0.05
$750
21000+
$0.05
$1050
30000+
$0.04
$1200
75000+
$0.04
$3000
150000+
$0.04
$6000.01
300000+
$0.04
$12000
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de FET
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 1.8A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
213 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (Max)
950mW (Tj)
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