SI3415U-TP
Référence :
SI3415U-TP
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 3000
Qté
Prix
Total
3000+
$0.09
$270
6000+
$0.08
$480
9000+
$0.08
$720
15000+
$0.08
$1200
21000+
$0.07
$1470
30000+
$0.07
$2100
75000+
$0.06
$4500
150000+
$0.06
$9000.01
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de FET
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Tension Drain-Source (Vdss)
20 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Vgs (Max)
±8V
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
1.8V, 4.5V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1204 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
930mW (Tj)
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