SICBG040N120H-TP
Référence :
SICBG040N120H-TP
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
SIC N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 800
Qté
Prix
Total
800+
$10.59
$8472.01
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
250W (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
1200 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
20V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-263-7LA
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 20V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
229 nC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3619 pF @ 800 V
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