SIEH4800EW-T1-GE3
Référence :
SIEH4800EW-T1-GE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
3000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$6.8
$6.8
10+
$4.56
$45.6
100+
$3.67
$367
500+
$3.32
$1660
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
80 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
7.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 20A, 10V
Boîtier
8-PowerDFN
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
34A (Ta), 381A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
29000 pF @ 40 V
Dissipation de puissance (Max)
3.4W (Ta), 417W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® 8 x 8 BWL
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