SIHG125N65E-GE3
Référence :
SIHG125N65E-GE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
494
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$9.87
$9.87
10+
$6.75
$67.5
100+
$6
$600
500+
$5.17
$2585
1000+
$4.63
$4630
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247AC
Boîtier
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Vgs (Max)
±30V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Dissipation de puissance (Max)
208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 12A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1938 pF @ 100 V
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