SIJ5623DP-T1-GE3
Référence :
SIJ5623DP-T1-GE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET 150C
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
6000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.61
$2.61
10+
$1.68
$16.8
100+
$1.14
$114
500+
$0.92
$460
1000+
$0.9
$900
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET
P-Channel
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1575 pF @ 30 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 26.1A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
4.1W (Ta), 32.9W (Tc)
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