SIJK140E-T1-GE3
Référence :
SIJK140E-T1-GE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
2228
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$8.31
$8.31
10+
$5.63
$56.3
100+
$4.5
$450
500+
$4.28
$2140
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Tension Drain-Source (Vdss)
40 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
470 nC @ 10 V
Boîtier
8-PowerSFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.47mOhm @ 20A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK®10 x 12
Dissipation de puissance (Max)
17W (Ta), 536W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
140A (Ta), 795A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
18510 pF @ 20 V
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