SIR572DP-T1-BE3
Référence :
SIR572DP-T1-BE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
6000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.1
$3.1
10+
$2
$20
100+
$1.38
$138
500+
$1.13
$565
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
150 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 10A, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
14.8A (Ta), 59.7A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2733 pF @ 75 V
Dissipation de puissance (Max)
5.7W (Ta), 92.5W (Tc)
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