SIR580DP-T1-BE3
Référence :
SIR580DP-T1-BE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
6000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.09
$3.09
10+
$2
$20
100+
$1.38
$138
500+
$1.16
$580
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
80 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Dissipation de puissance (Max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
7.5V, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
35.8A (Ta), 146A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 40 V
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