SIR5810DP-T1-RE3
Référence :
SIR5810DP-T1-RE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150C
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
5970
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.64
$1.64
10+
$1.04
$10.4
100+
$0.69
$69
500+
$0.54
$270
1000+
$0.49
$490
2000+
$0.47
$940
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
80 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
7.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 40 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
15.5A (Ta), 53.3A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
3W (Ta), 56.8W (Tc)
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