SIRA06DDP-T1-UE3
Référence :
SIRA06DDP-T1-UE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
5838
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.27
$1.27
10+
$0.8
$8
100+
$0.52
$52
500+
$0.41
$205
1000+
$0.37
$370
2000+
$0.34
$680
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2330 pF @ 15 V
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)
+20V, -16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
36A (Ta), 125A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
4.6W (Ta), 59W (Tc)
Derniers produits
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scannez le QR code