SIRA62DDP-T1-UE3
Référence :
SIRA62DDP-T1-UE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET 150C
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
6000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.06
$2.06
10+
$1.31
$13.1
100+
$0.88
$88
500+
$0.72
$360
1000+
$0.65
$650
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Tension Drain-Source (Vdss)
30 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)
+20V, -16V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
51A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.22Ohm @ 15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4344 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (Max)
5W (Ta), 71W (Tc)
Derniers produits
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Scannez le QR code