SISS26LDN-T1-UE3
Référence :
SISS26LDN-T1-UE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
6000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.85
$1.85
10+
$1.17
$11.7
100+
$0.78
$78
500+
$0.62
$310
1000+
$0.56
$560
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
4.5V, 10V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® 1212-8S
Boîtier
PowerPAK® 1212-8S
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1980 pF @ 30 V
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