SISS5708DN-T1-BE3
Référence :
SISS5708DN-T1-BE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET 150
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
5975
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.72
$2.72
10+
$1.74
$17.4
100+
$1.18
$118
500+
$0.96
$480
1000+
$0.94
$940
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 10A, 10V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
7.5V, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® 1212-8S
Boîtier
PowerPAK® 1212-8S
Dissipation de puissance (Max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
975 pF @ 75 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
9.3A (Ta), 33.8A (Tc)
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