SISS588DN-T1-BE3
Référence :
SISS588DN-T1-BE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
6000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$2.2
$2.2
10+
$1.4
$14
100+
$0.95
$95
500+
$0.75
$375
1000+
$0.71
$710
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
80 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® 1212-8S
Boîtier
PowerPAK® 1212-8S
Dissipation de puissance (Max)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1380 pF @ 40 V
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