SQJ118EP-T1_GE3
Référence :
SQJ118EP-T1_GE3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100V (D-S)
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
3000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$1.56
$1.56
10+
$0.98
$9.8
100+
$0.65
$65
500+
$0.51
$255
1000+
$0.46
$460
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension Drain-Source (Vdss)
100 V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2930 pF @ 25 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.7mOhm @ 15A, 10V
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