STHU60N046DM9AG
STHU60N046DM9AG
STHU60N046DM9AG
Référence :
STHU60N046DM9AG
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$11.72
$11.72
10+
$8.09
$80.9
100+
$6.73
$673
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Vgs (Max)
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
245W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
HU3PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 27A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4698 pF @ 400 V
Derniers produits
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-