TK080A60Z1,S4X
Référence :
TK080A60Z1,S4X
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
100
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$5.38
$5.38
50+
$2.79
$139.5
100+
$2.55
$255
500+
$2.11
$1055
1000+
$2.04
$2040
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
150°C
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Boîtier
TO-220-3 Full Pack
Dissipation de puissance (Max)
45W (Tc)
Vgs (Max)
±30V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.17mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2510 pF @ 300 V
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