TK115N65Z5,S1F
Référence :
TK115N65Z5,S1F
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CH MOSFET, 650 V, 0.115 @10V,
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1660
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.48
$7.48
30+
$4.29
$128.7
120+
$3.59
$430.8
510+
$3.16
$1611.6
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
150°C
Dissipation de puissance (Max)
190W (Tc)
Boîtier
TO-247-3
Vgs (Max)
±30V
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.02mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2280 pF @ 300 V
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