TK125U60Z1,RQ
Référence :
TK125U60Z1,RQ
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
4000
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4.21
$4.21
10+
$2.76
$27.6
100+
$1.93
$193
500+
$1.72
$860
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Dissipation de puissance (Max)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 6A, 10V
Boîtier
8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 730µA
Fournisseur Dispositif Emballage
TOLL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 300 V
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