TP65H015G5WS
Référence :
TP65H015G5WS
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
650 V 95 A GAN FET
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
2105
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$35.48
$35.48
30+
$23.77
$713.1
120+
$23.65
$2838
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (Max)
266W (Tc)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 2mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5218 pF @ 400 V
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