TP65H035G4QS
Référence :
TP65H035G4QS
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
3249
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$20.58
$20.58
10+
$14.68
$146.8
100+
$13.97
$1397
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Dissipation de puissance (Max)
156W (Tc)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Boîtier
8-PowerSFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Fournisseur Dispositif Emballage
TOLL
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