TP65H035G4WSQA
Référence :
TP65H035G4WSQA
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
650 V 46.5 GAN FET
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
43
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$22.13
$22.13
30+
$13.92
$417.6
120+
$13.32
$1598.4
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Boîtier
TO-247-3
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-3
Dissipation de puissance (Max)
187W (Tc)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
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