TP65H070G4PS
Référence :
TP65H070G4PS
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
1257
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$10.81
$10.81
50+
$9.81
$490.5
100+
$5.53
$553
500+
$4.95
$2475
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
96W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.7V @ 700µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
638 pF @ 400 V
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