TP65H070G4RS-TR
Référence :
TP65H070G4RS-TR
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
650 V 29 A GAN FET
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
3305
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$10.43
$10.43
10+
$6.73
$67.3
100+
$6.19
$619
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
96W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Boîtier
16-PowerSOP Module
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
638 pF @ 400 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TOLT
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