TP65H100G4LSGB-TR
Référence :
TP65H100G4LSGB-TR
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
Hi Volt FETs
Boîtier :
Conditionnement :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
1600
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 3000
Qté
Prix
Total
3000+
$3.16
$9480
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Boîtier
8-VDFN Exposed Pad
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
14.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
65.8W (Tc)
Fournisseur Dispositif Emballage
8-PQFN (8x8)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
18.9A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 1.8mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
818 pF @ 400 V
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