TP65H100G4PS
Référence :
TP65H100G4PS
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
Hi Volt FETs
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
242
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$8.65
$8.65
10+
$5.87
$58.7
450+
$3.69
$1660.5
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
14.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
65.8W (Tc)
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
18.9A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 1.8mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
818 pF @ 400 V
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